CY3307 Plaque épitaxiale SiC-GaN EPI

Catalogue No.	CY3307
Matériau du substrat	SiC
Diamètre	4, 5, 6, 8 pouces
Epaisseur de la couche intermédiaire, µm	0.1-100
Orientation	<100>, <111>
Épaisseur du substrat (um)	300-725

Plaque épitaxiale SiC-GaN EPI désigne une couche mince de semi-conducteur développée sur un substrat. Stanford Advanced Materials (SAM) possède une grande expérience dans la fabrication et la fourniture de produits optiques de haute qualité.

Produits apparentés : Plaque épitaxiale en saphir Plaque EPI, Plaque SOI, Plaque en carbure de silicium

ENQUÊTE

sc/1619085288-normal-epitaxial-wafer-sic-gan-epi.jpg

Description

Spécifications

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Diamètre de la plaquette		4"	5"	6"	8"
Couche EPI	Dopant	Bore, Phos, Arsenic
	Orientation	<100>, <111>
	Type de conductivité	P/P++, N/N++, N/N+, N/N+/N++, N/P/P, P/N/N+
	Résistivité	0,001-50 Ohm-cm
	Rés. Uniformité	Standard <6%, Capacités maximales <2%
	Épaisseur (um)	0.1-100
	Uniformité de l'épaisseur	Standard <3%, Capacités maximales <1%
Support	Orientation	<100>, <111>
	Type de conductivité/Dopant	Type P/Boron, Type N/Phos, Type N/As, Type N/Sb
	Épaisseur (um)	300-725
	Résistivité	0,001-100 Ohm-cm
	État de surface	P/P, P/E
	Particules	<50@.0.5um

Diamètre de la plaquette		4"	5"	6"	8"
Couche EPI	Dopant	Bore, Phos, Arsenic
	Orientation	<100>, <111>
	Type de conductivité	P/P++, N/N++, N/N+, N/N+/N++, N/P/P, P/N/N+
	Résistivité	0,001-50 Ohm-cm
	Rés. Uniformité	Standard <6%, Capacités maximales <2%
	Épaisseur (um)	0.1-100
	Uniformité de l'épaisseur	Standard <3%, Capacités maximales <1%
Support	Orientation	<100>, <111>
	Type de conductivité/Dopant	Type P/Boron, Type N/Phos, Type N/As, Type N/Sb
	Épaisseur (um)	300-725
	Résistivité	0,001-100 Ohm-cm
	État de surface	P/P, P/E
	Particules	<50@.0.5um

CY3307 Plaque épitaxiale SiC-GaN EPI

Plaque épitaxiale SiC-GaN EPI Description

Spécifications des plaques épitaxiées SiC-GaN EPI

Applications de l'EPI SiC-GaN pour les plaquettes épitaxiées

Emballage des plaquettes épitaxiées SiC-GaN EPI

Spécifications

Fiche technique

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