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  • CY3306 Sapphire Epitaxial Wafer EPI Wafer

    • CY3306 Sapphire Epitaxial Wafer EPI Wafer

    Catalog No. CY3306
    Matériau Saphir (Al2O3)
    Dimensions 76 mm, 100 mm, 150 mm
    Orientation (1012) ± 1° (plan R)
    Formulaire Plaquette

    Sapphire Epitaxial Wafer EPI Wafer se caractérise par une excellente isolation électrique qui empêche efficacement les radiations causées par le courant dispersé de se propager aux composants voisins. Stanford Advanced Materials (SAM) possède une grande expérience dans la fabrication et la fourniture de produits optiques de haute qualité.

    Produits apparentés : Plaquette de carbure de silicium SiC, plaquette SOI, plaquette de carbure de silicium

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    CY0485 Nd:Ce:YAG
    Potassium Titanyl Phosphate (KTP)
    CY0492 Phosphate de potassium et de titane (KTP)
    Gray Track Resistance Potassium Titanyl Phosphate (GTR-KTP)
    OP0494 Résistance de la voie grise au phosphate de potassium et de titane (GTR-KTP)
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    CY0495 Borate de bêta-baryum (BBO)
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    CY0496 Cristal BiB3O6 (BIBO)
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