CY3306 Sapphire Epitaxial Wafer EPI Wafer

Catalogue No.	CY3306
Matériau	Saphir
Taille	D76mm, 100mm, 150mm
Epaisseur de la couche intermédiaire, µm	0.3-2.0
Dopant épi-couche	Phosphore, Bore

Sapphire Epitaxial Wafer EPI Wafer se caractérise par une excellente isolation électrique qui empêche efficacement les radiations causées par le courant dispersé de se propager aux composants voisins. Stanford Advanced Materials (SAM) possède une grande expérience dans la fabrication et la fourniture de produits optiques de haute qualité.

Produits apparentés : Plaquette de carbure de silicium SiC, plaquette SOI, plaquette de carbure de silicium

ENQUÊTE

Description

Spécifications

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Gamme de paramètres pour les plaques épitaxiales de silicium sur saphir (SOS)
Diamètre de la plaquette	76 mm, 100 mm, 150 mm
Orientation	(1012) ± 1º (plan R)
Dopant du substrat	-
Épaisseur de la couche intermédiaire, µm	0,3 - 2,0
Dopant de l'épi-couche	Phosphore, Bore
type n	selon les spécifications
type p	1,0 - 0,01

Gamme de paramètres pour les plaques de silicium sur saphir (SOS) Epi Wafers
Diamètre de la plaquette	76 mm, 100 mm, 150 mm
Orientation	(1012) ± 1º (plan R)
Dopant du substrat	-
Épaisseur de la couche intermédiaire, µm	0,3 - 2,0
Dopant de l'épi-couche	Phosphore, Bore
type n	selon les spécifications
type p	1,0 - 0,01

CY3306 Sapphire Epitaxial Wafer EPI Wafer

Plaque épitaxiale en saphir Description de la plaque EPI

Spécifications des plaquettes épitaxiées en saphir EPI Wafer

Plaque épitaxiale de saphir Plaque EPI Applications

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