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Stanford Advanced Materials
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  • CY2536 Substrats monocristallins en silicium-germanium (Si-Ge)

    • CY2536 Substrats monocristallins en silicium-germanium (Si-Ge)

    Catalogue No. CY2536
    Taille 4" de diamètre x 0,5 mm
    Matériau Si-Ge（2 wt% Ge）
    Orientation <100> ±0.5°
    Méthode de croissance Processus de cristallisation

    Lessubstrats monocristallins en silicium-germanium (Si-Ge) ont été largement utilisés grâce à leurs excellentes propriétés. Stanford Advanced Materials (SAM) a plus de vingt ans d'expérience dans la fabrication et la vente de substrats monocristallins en silicium-germanium (Si-Ge).

    En rapport : Substrat cristallin LiAlO2, Substrat cristallin LAST, Substrat cristallin LiF, Substrat cristallin NdGaO3.

    ENQUÊTE
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    CY2536 Silicon-Germanium (Si-Ge) Single Crystal Substrates
    CY2536 Silicon-Germanium (Si-Ge) Single Crystal Substrates
    Description
    Spécifications

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