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Stanford Advanced Materials
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  • CY2426 Substrats de cristaux de carbure de silicium (SiC)

    • CY2426 Substrats de cristaux de carbure de silicium (SiC)

    Catalogue No. CY2426
    Taille 10x10x0,33 mm ou sur mesure
    Surface Poli, épi poli d'un côté sur la face Si
    Orientation <0001> +/-0.5
    Méthode de croissance MOCVD

    Stanford Advanced Materials (SAM) propose une grande variété de substrats cristallins en carbure de silicium SiC. Nous disposons d'une équipe de vente professionnelle pour offrir une réponse rapide dans les 24 heures et un service chaleureux.

    Produits apparentés : Substrat de cristal LiAlO2, Substrat de cristal LAST, Substrat de cristal LiF, Substrat de cristal NdGaO3, Substrat de cristal d'antimoniure de gallium.

    ENQUÊTE
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    CY2426 Silicon Carbide (SiC) Crystal Substrates
    CY2426 Silicon Carbide (SiC) Crystal Substrates
    Description
    Spécifications

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