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BS2805 Antimoniure de bismuth (BiSb) en poudre (CAS 12323-19-2)

Catalogue No. BS2805

L'antimoniure de bismuth (BiSb) (CAS 12323-19-2) est un matériau thermoélectrique cristallin doté d'une structure cristalline en forme de cage connue sous le nom de skutterudite. Stanford Advanced Materials (SAM) est votre plateforme unique pour trouver des produits d'antimoine à vendre sous diverses formes.

Produits apparentés : Antimoniure d'indium, substrat monocristallin d'antimoniure de gallium, poudre de chlorure de cadmium, poudre de carbonate de cadmium

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Description
Spécifications
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Description de l'antimoniure de bismuth (BiSb) (CAS 12323-19-2)

L'antimoniurede bismuth (BiSb) (CAS 12323-19-2) est un matériau thermoélectrique cristallin doté d'une structure cristalline en forme de cage appelée skutterudite. Certains antimonides de bismuth, en particulier Bi0.9Sb0.1, ont été les premiers isolants topologiques tridimensionnels observés expérimentalement, des matériaux qui ont des états de surface conducteurs mais dont l'intérieur est isolant. Divers alliages d'antimoniure de bismuth sont également utilisés comme supraconducteurs à basse température, sont des semi-conducteurs et sont utilisés dans des dispositifs thermoélectriques.

Antimoniure de bismuth (BiSb) (CAS 12323-19-2) Spécifications

Nom du produit

Antimoniure de bismuth

Numéro CAS

12323-19-2

Pureté

Poids moléculaire

330.74

Masse exacte

329.884214

Antimoniure de bismuth (BiSb) (CAS 12323-19-2) Applications

Isolant topologique

L'antimoniure de bismuth (BiSb) (CAS 12323-19-2) est un matériau important en nano-électronique en tant qu'isolant topologique. Il offre des possibilités uniques de contrôler les courants électriques et le magnétisme et constitue un matériau prometteur pour les futures applications de la spintronique.

Supraconducteur

La température la plus élevée à laquelle un film mince d'une épaisseur de 150 à 1350 A est supraconducteur (la température critique Tc) est d'environ 2K. Le monocristal peut être supraconducteur à des températures légèrement plus élevées. Son champ magnétique critique (le champ magnétique maximal que le supraconducteur peut expulser) est de 1,6T à 4,2K.

Semi-conducteur

À 40K, la mobilité des électrons de l'antimoniure de bismuth (BiSb) varie de 0,49*106 /Vs à une concentration de Sb de 0 à .24*106 /Vs et à une concentration de Sb de 7,2%. C'est beaucoup plus que la mobilité des électrons d'autres semi-conducteurs courants comme le Si, qui est de 1400 /Vs à température ambiante. Sa masse électronique effective est de .002me pour x=.11 et de .0009me à x=.06. C'est beaucoup moins que la masse effective des électrons dans de nombreux semi-conducteurs courants (1,09 dans le Si à 300K, 0,55 dans le Ge et 0,067 dans le GaAs). Une faible EEM est favorable aux applications thermo-photovoltaïques.

Thermoélectricité

Lesantimoniures de bismuth (BiSb ) sont utilisés comme pattes de type n dans de nombreux dispositifs thermoélectriques en dessous de la température ambiante. À 80K, le facteur de mérite (zT) atteint un maximum de 6,5*/K lorsque x = 15 %. En outre, le coefficient Seebeck (le rapport entre la différence de potentiel entre les extrémités d'un matériau et la différence de température entre les côtés) à 80K est de -140μV/K, beaucoup plus petit que le coefficient Seebeck du bismuth pur, -50μV/K.

Référence

https://en.wikipedia.org/wiki/Bismuth_antimonide

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