SC0957 Plateaux en carbure de silicium (SiC Trays)

Catalogue No.	SC0957
Taille	<40cm (15")
Matériau	Graphite, avec revêtement CVD SiC
La purée	>99,99% pour le revêtement SiC
Surface	Porosité nulle
Épaisseur du revêtement	50~500μm

Stanford Advanced Materials (SAM) est un fournisseur et un fabricant de confiance de SiC fritté, de SiC lié par réaction et de SiC recristallisé de haute qualité. Nous fournissons des plateaux en carbure de silicium de haute pureté à des prix compétitifs. La personnalisation est disponible sur demande.

Produits apparentés : Plaque de carbure de silicium, Tube de carbure de silicium, Anneau d'étanchéité en carbure de silicium, visitez plus>>

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SC0957 Silicon Carbide Trays (SiC Trays)

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	SiC recristallisé	SiC fritté	SiC lié par réaction
Pureté du carbure de silicium	99.5%	98%	>88%
Temp. de travail max. Temp. de travail (`C)	1650	1550	1300
Densité apparente (g/cm3)	2.7	3.1	>3
Aspect Porosité	<15%	2.5	0.1
Résistance à la flexion (MPa)	110	400	380
Résistance à la compression (MPa)	>300	2200	2100
Dilatation thermique (10^-6/`C)	4.6 (1200`C)	4.0 (<500`C)	4.4 (<500`C)
Conductivité thermique (W/m.K)	35~36	110	65
Caractéristiques principales	Résistance aux températures élevées Grande pureté	Résistance à la rupture	Résistance chimique

	SiC recristallisé	SiC fritté	SiC lié par réaction
Pureté du carbure de silicium	99.5%	98%	>88%
Temp. de travail max. Temp. de travail (`C)	1650	1550	1300
Densité apparente (g/cm3)	2.7	3.1	>3
Aspect Porosité	<15%	2.5	0.1
Résistance à la flexion (MPa)	110	400	380
Résistance à la compression (MPa)	>300	2200	2100
Dilatation thermique (10^-6/`C)	4.6 (1200`C)	4.0 (<500`C)	4.4 (<500`C)
Conductivité thermique (W/m.K)	35~36	110	65
Caractéristiques principales	Résistance aux températures élevées Grande pureté	Résistance à la rupture	Résistance chimique

SC0957 Plateaux en carbure de silicium (SiC Trays)

Plateaux en carbure de silicium Description :

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Applications des plateaux en carbure de silicium :

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