Description du substrat monocristallin d'AlN
Le substrat monocristallin AlN est un matériau semi-conducteur à large bande interdite présentant des caractéristiques exceptionnelles.
La bande interdite est de 6,2eV et possède une bande interdite directe. Il s'agit d'un matériau important pour l'émission de lumière bleue et ultraviolette. Il présente une conductivité thermique élevée, un point de fusion élevé, une résistivité élevée, un champ de claquage important et un faible coefficient diélectrique. C'est un excellent matériau électronique pour les dispositifs à haute température, à haute fréquence et à haute puissance ; l'AlN orienté selon l'axe c possède une très bonne piézoélectricité et des propriétés de propagation à grande vitesse des ondes acoustiques de surface, et c'est un excellent matériau piézoélectrique pour les dispositifs à ondes acoustiques de surface.
Compte tenu des excellentes propriétés physiques des matériaux AlN susmentionnés, les cristaux d'AlN sont des substrats idéaux pour les matériaux GaN, AlGaN et AlN épitaxiés. Par rapport aux substrats en saphir ou en SiC, l'AlN et le GaN présentent une meilleure adéquation thermique et une meilleure compatibilité chimique, et la contrainte entre le substrat et la couche épitaxiale est plus faible. Par conséquent, lorsque le cristal AlN est utilisé comme substrat épitaxial GaN, les défauts dans le dispositif peuvent être considérablement réduits. La densité, l'amélioration de la performance du dispositif et les perspectives d'application dans la préparation de dispositifs électroniques à haute température, à haute fréquence et à haute puissance sont bonnes.
Spécifications du substrat monocristallin d'AlN
Composition (cubique)
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AlN
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Surface utilisable
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>80%
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Exclusion des bords
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1,0 mm
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Dimension
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10x10 mm
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Epaisseur
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450 ± 50μm
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Coefficient d'absorption
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< 80 cm-1
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Densité de gravure (EPD)
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< 1E5 cm-2
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Finition de la surface
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Face en Al : Polissage CMP (RMS < 0,8 nm)
Face N : polissage optique (RMS < 3 nm)
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Orientation
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<0001>± 1°
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Substrat monocristallin d'AlN Applications
Largement utilisé dans la préparation de dispositifs électroniques à haute température, haute fréquence et haute puissance.
Conditionnement des substrats monocristallins d'AlN
Notre substrat à cristal unique Al N est manipulé avec soin pendant le stockage et le transport afin de préserver la qualité de notre produit dans son état d'origine.