SC2276 SOI Wafer

Catalogue No.	SC2276
Matériau	Si
Diamètre	2'' à 12''
Dopant	Bore/Phosphore/Antimoine/Arsenic
Conductivité	P-type/N-type / Intrinsèque

SAM fournit des plaquettes d'oxyde thermique de silicium d'un diamètre compris entre 2 et 12 pouces. Nous choisissons toujours des plaquettes de silicium de première qualité et sans défaut comme substrat pour produire une couche d'oxyde thermique de haute uniformité afin de répondre à vos exigences spécifiques.

Produits apparentés : Plaquette d'antimoniure d'indium, plaquette de carbure de silicium, plaquette de phosphure de gallium, plaquette de silicium, plaquette de germanium 1851 (plaquette Ge).

ENQUÊTE

Description

Spécifications

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Méthode de fabrication	Collage par fusion
Diamètre	2'' à 12''
Epaisseur du dispositif	2 um ~ 300 um
Tolérance	+/- 0,5 um ~ 2 um
Orientation	<100> / <111> / <110> ou autres
Conductivité	Type P / Type N / Intrinsèque
Dopant	Bore / Phosphore / Antimoine / Arsenic
Résistivité	0,001 ~ 100000 ohm-cm
Epaisseur de l'oxyde	500A ~ 4 um
Tolérance	+/- 5%
Manche de la plaquette	>= 300 um
Surface	Polie sur les deux faces
Revêtement	Oxyde et nitrure peuvent être fournis sur les deux faces du wafer SOI

Méthode	Collage par fusion
Diamètre	2'' à 12''
Épaisseur du dispositif	2 um ~ 300 um
Tolérance	+/- 0,5 um ~ 2 um
Orientation	<100> / <111> / <110> ou autres
Conductivité	Type P / Type N / Intrinsèque
Dopant	Bore / Phosphore / Antimoine / Arsenic
Résistivité	0,001 ~ 100000 ohm-cm
Epaisseur de l'oxyde	500A ~ 4 um
Tolérance	+/- 5%
Manche de la plaquette	>= 300 um
Surface	Polie sur les deux faces
Revêtement	Oxyde et nitrure peuvent être fournis sur les deux faces du wafer SOI

SC2276 SOI Wafer

Description des plaques de silicium sur isolant (SOI)

Spécifications des plaques SOI

Applications des plaques SOI

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