SC0897 Buse en carbure de silicium (buse SiC)

Catalogue No.	SC0897
Matériau	Céramique SiC
La purée	97%~99%
Densité	3,05~3,15 g/cm3
Apparence	Noir
Point de fusion	2 730° C (4 946° F) (se décompose)

Labuse en carbure de silicium présente une excellente conductivité thermique, une faible dilatation thermique et résiste à la corrosion par les acides. Stanford Advanced Materials (SAM) est un fournisseur et un fabricant de confiance de SiC fritté, de SiC lié par réaction et de SiC recristallisé de haute qualité. La personnalisation est possible sur demande.

Produits apparentés : Plaque de carbure de silicium, Tube de carbure de silicium, Boule de carbure de silicium, visitez plus>>

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	Pureté du carbure de silicium	Temp. de travail max. (`C)	Densité apparente (g/cm3)	Aspect Porosité	Résistance à la flexion (MPa)	Résistance à la compression (MPa)	Dilatation thermique (10^-6/`C)	Conductivité thermique (W/m.K)	Caractéristiques principales
SiC recristallisé	99.50%	1650	2.7	<15%	110	>300	4.6 (1200`C)	35~36	Résistance aux températures élevées. Haute pureté
SiC fritté	98%	1550	3.1	2.5	400	2200	4.0 (<500`C)	110	Résistance à la rupture
SiC lié par réaction	>88%	1300	>3	0.1	380	2100	4.4 (<500`C)	65	Résistance chimique

	Pureté du carbure de silicium	Temp. de travail max. (`C)	Densité apparente (g/cm3)	Aspect Porosité	Résistance à la flexion (MPa)	Résistance à la compression (MPa)	Dilatation thermique (10^-6/`C)	Conductivité thermique (W/m.K)	Caractéristiques principales
SiC recristallisé	99.50%	1650	2.7	<15%	110	>300	4.6 (1200`C)	35~36	Résistance aux températures élevées. Haute pureté
SiC fritté	98%	1550	3.1	2.5	400	2200	4.0 (<500`C)	110	Résistance à la rupture
SiC lié par réaction	>88%	1300	>3	0.1	380	2100	4.4 (<500`C)	65	Résistance chimique

SC0897 Buse en carbure de silicium (buse SiC)

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