Plaque épitaxiale en saphir Description de la plaque EPI
L'essence du silicium sur substrat de saphir (SOS) est un processus hétéroépitaxique, c'est-à-dire qu'une fine couche de SI (généralement inférieure à 0,6 micron) est cultivée sur une plaquette de saphir. Le S0S fait partie de la technologie épitaxiale du silicium sur un substrat isolant dans la technologie CMOS (SOI). En raison de sa résistance inhérente aux radiations, le SOS est principalement utilisé dans les applications aérospatiales et militaires. En général, on utilise des cristaux de saphir de haute pureté cultivés artificiellement. Le silane est généralement décomposé par chauffage, puis déposé sur le substrat de saphir pour obtenir du silicium. L'avantage du saphir épitaxié est que son excellente isolation électrique peut empêcher efficacement les radiations causées par le courant dispersé de se propager aux composants voisins.
Spécifications des plaquettes épitaxiées en saphir EPI Wafer
Gamme de paramètres pour les plaques épitaxiales de silicium sur saphir (SOS)
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Diamètre de la plaquette
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76 mm, 100 mm, 150 mm
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Orientation
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(1012) ± 1º (plan R)
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Dopant du substrat
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-
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Épaisseur de la couche intermédiaire, µm
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0,3 - 2,0
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Dopant de l'épi-couche
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Phosphore, Bore
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type n
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selon les spécifications
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type p
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1,0 - 0,01
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Plaque épitaxiale de saphir Plaque EPI Applications
Le saphir épitaxié est principalement utilisé dans les applications aérospatiales et militaires.
Emballage des plaquettes épitaxiées saphir EPI Wafer
Nos plaquettes épitaxiées saphir EPI Wafer sont manipulées avec soin pendant le stockage et le transport afin de préserver la qualité de notre produit dans son état d'origine.