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  • IN2270 Plaque d'antimoniure d'indium

    • IN2270 Plaque d'antimoniure d'indium

    Catalogue No. IN2270
    Matériau InSb
    Épaisseur 500 um - 625 um
    Type de conducteur N - type
    Diamètre Ø 2" Ø 3"

    Stanford Advanced Materials (SAM) propose une large gamme de plaquettes composées, notamment des plaquettes de GaAs, de GaP, de GaSb, d'InAs et d'InP.

    Produits connexes : Plaquette denitrure de gallium, plaquetted'arséniure de gal lium , plaquette degermanium (plaquette Ge), plaquette de phosphure de gallium, plaquette d' arséniure d'indium.

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    IN2270 Indium Antimonide Wafer
    IN2270 Indium Antimonide Wafer
    Description
    Spécifications

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