Description des pastilles de hafnium (pastilles de Hf)
Les pastilles de hafnium(pastilles de Hf) ont une grande capacité à libérer des électrons dans l'air et ont un point de fusion élevé. Les pastilles de hafnium métal personnalisées sont fournies par Stanford Advanced Materials à des prix compétitifs. Stanford Advanced Materials (SAM) est spécialisé dans la production de pastilles d'hafnium de grande pureté et de forme uniforme, avec la densité la plus élevée possible.
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Propriétés des pastilles de hafnium (pastilles de Hf)
Symbole
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Hf
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Nombre atomique
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72
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Poids atomique
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178.49
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Densité
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13,31 gm/cc
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Point de fusion
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2227 oC
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Point d'ébullition
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4602 oC
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Conductivité thermique
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0,230 W/cm/K à 298,2 K
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Résistivité électrique
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35,1 microhm-cm à 25 oC
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Électronégativité
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1,3 Paulings
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Chaleur spécifique
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0,035 Cal/g/K à 25 oC
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Chaleur de vaporisation
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155 K-Cal/gm atome à 4602 oC
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Chaleur de fusion
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6,0 Cal/gm mole
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Section efficace des neutrons thermiques
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115 Barns
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Granulés de hafnium (granulés de Hf) Spécification
Diamètre
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1,5~2 mm
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Longueur
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3~5mm
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Pureté
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99.95%, Zr<1.5%.
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Applications des pastilles de hafnium (pastilles de Hf)
Les pastilles de hafnium(pastilles de Hf) peuvent être utilisées dans les semi-conducteurs, les procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) et de dépôt physique en phase vapeur (PVD), notamment l'évaporation thermique et par faisceau d'électrons (E-Beam), l'évaporation organique à basse température, le dépôt par couche atomique (ALD), le dépôt chimique en phase vapeur métallo-organique (MOCVD), etc.
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