Produits
  • Produits
  • Catégories
  • Blog
  • Podcast
  • Application
  • Document
|
DEMANDER UN DEVIS
/ fr
Sélectionnez la langue
Stanford Advanced Materials English
Stanford Advanced Materials Española
Stanford Advanced Materials Deutsch
Stanford Advanced Materials Français
Stanford Advanced Materials Italiano
Stanford Advanced Materials 日本語
Stanford Advanced Materials
/ fr
Sélectionnez la langue
Stanford Advanced Materials English
Stanford Advanced Materials Española
Stanford Advanced Materials Deutsch
Stanford Advanced Materials Français
Stanford Advanced Materials Italiano
Stanford Advanced Materials 日本語

CY4748 Cristal de phosphure de germanium (GeP)

Catalogue No. CY4748
Matériau Cristal de phosphure de germanium (GeP)
La purée >99.99%
Structure cristalline monoclinique
Paramètres de la cellule unitaire a= 0.386nm, b= 0.444nm, c= 0.785nm, α= β= γ= 90°

Lecristal de phosphure de germanium (GeP) a une structure cristalline de zinc blende similaire à celle de l'arséniure de gallium (GaAs). Stanford Advanced Materials (SAM) possède une grande expérience dans la fabrication et la fourniture de produits optiques de haute qualité.

Produits apparentés : Cristal ZnGeP2 (ZGP), Feuille de cristal de germanium (Feuille de cristal Ge), Plaquette de germanium (Plaquette Ge)

ENQUÊTE
Ajouter à la liste d'enquête
Description
Spécifications
SDS

Description du cristal de phosphure de germanium (GeP)

Lecristal de phosphure de germanium (GeP) est un matériau semi-conducteur utilisé dans les industries électroniques et optoélectroniques. Il présente des dispersions anisotropes de structures de bandes similaires à la structure monoclinique du GaTe. La bande interdite directe est d'environ 0,8eV, ce qui rend le cristal GeP adapté aux applications dans le domaine spectral de l'infrarouge.

Spécifications du cristal de phosphure de germanium (GeP)

Matériau

Cristal de phosphure de germanium (GeP)

Pureté

>99.99%

Structure cristalline

Monoclinique

Paramètres de cellule unitaire

a= 0.386nm, b= 0.444nm, c= 0.785nm,

α= β= γ= 90°.

Taille du cristal

~3 mm

Applications du cristal de phosphure de germanium (GeP)

  • Substrat en optoélectronique pour produire des films d'arséniure de gallium ou d'arséniure d'indium et de gallium.
  • Fabrication de cellules solaires multijonction.
  • Fabrication de guides d'ondes pour des applications optiques.
  • Fabrication de détecteurs IR.

Emballage des cristaux de phosphure de germanium (GeP)

Notre cristal de phosphure de germanium (Ge P) est manipulé avec soin pendant le stockage et le transport afin de préserver la qualité de notre produit dans son état d'origine.

OBTENIR UN DEVIS

Envoyez-nous une demande maintenant pour en savoir plus d'informations et les derniers prix, merci!

* Votre nom
* Votre Email
* Nom du produit
* Votre téléphone
* Pays

France

    Commentaires
    * Code de vérification
    Laisser un message
    Laisser un message
    * Votre nom:
    * Votre Email:
    * Nom du produit:
    * Votre téléphone:
    * Commentaires: