Description du substrat monocristallin d'antimoniure de gallium
L'antimoniure de gallium (GaSb) est l'un des matériaux semi-conducteurs appartenant à la famille III-V, avec un écart énergétique de 0,726 ev et une constante de réseau de 0,61 nm. L'antimoniure de gallium peut généralement être utilisé comme détecteur infrarouge, diode électroluminescente infrarouge, transistor, diode laser, etc.
Spécifications du substrat monocristallin d'antimoniure de gallium
Numéro CAS
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12064-03-8
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Formule moléculaire
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GaSb
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Poids moléculaire
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191.48
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Aspect
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Substrat monocristallin
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Densité
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5,619 g/mL
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Point de fusion
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710°C
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Odeur
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Inodore
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Diamètre
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2"
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3"
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4"
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Mobilité (cm2V-1S-1)
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600-700
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Concentration du transporteur (cm-3)
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(1-2)*1017
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Diamètre (mm)
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50.5±0.5
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76.2±0.5
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100.0±0.5
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Épaisseur (μm)
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500±25
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600±25
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800±25
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Orientation
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(100) / (111) ±0.5°
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Longueur du méplat primaire (mm)
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16±2
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22±2
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32.5±2
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Longueur du bord de positionnement secondaire (mm)
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8±1
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11±1
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18±1
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TTV(μm)
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<10
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<10
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<20
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Arc(μm)
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<10
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<10
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<20
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Chaîne(μm)
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<15
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<15
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<20
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Applications du substrat monocristallin d'antimoniure de gallium
- Communications par fibre optique (FOC)
- Détecteurs infrarouges, DEL infrarouges, lasers et transistors
- Composant des résines photosensibles et autres composites pour lesquels un indice de réfraction élevé est souhaitable
- Diode laser
Informations relatives à la sécurité
Symbole
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GHS07, GHS09
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Mot indicateur
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Avertissement
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Mentions de danger
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H302 + H332-H411
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Conseils de prudence
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P273
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Équipement de protection individuelle
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Masque anti-poussière de type N95 (US), Lunettes de protection, Gants
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RIDADR
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UN 3077 9 / PGIII
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WGK Allemagne
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2
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