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Stanford Advanced Materials
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  • BS3863 Film CVD de séléniure de bismuth (Bi2Se3)

    • BS3863 Film CVD de séléniure de bismuth (Bi2Se3)

    Catalogue No. BS3863
    Type Grains monocristallins
    Matériau du substrat Saphir à plan C poli sur une seule face/saphir poli sur deux faces
    Taille 10*10 mm
    Méthode Dépôt chimique en phase vapeur (CVD)

    Nous fournissons des films CVD de séléniure de bismuth sur des substrats en saphir. Stanford Advanced Materials (SAM) possède une grande expérience dans la fabrication et la fourniture de films CVD de séléniure de bismuth de haute qualité.

    Produits connexes : Film CVD de tellurure de nickel (NiTe2), Film CVD de diséléniure de tungstène (WSe2), Film Saphir de diséléniure d'étain (SnSe2)

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