Plaque de base IGBT en carbure d'aluminium et de silicium Description
L'AlSiC a été utilisé pour la première fois dans le substrat des puces de radar de l'armée américaine pour remplacer le cuivre tungstène. Après le remplacement, l'effet de dissipation de la chaleur est excellent et la perte de poids totale du radar est de 10 kg, ce qui fait que le matériau en carbure d'aluminium et de silicium attire l'attention. Les modules IGBT (transistor bipolaire à porte isolée) à courant élevé génèrent une grande quantité de chaleur en cours de fonctionnement . Le matériau AlSiC est généralement utilisé pour fabriquer le substrat IGBT, et le module IGBT haute puissance est fermement emballé, de sorte que la puce peut être utilisée dans des conditions de vibration, de température élevée et de poussière. La plaque de base IGBT en aluminium-carbure de sil iciumest très légère, elle ne pèse qu'un tiers du poids du cuivre, mais sa résistance à la flexion est aussi bonne que celle de l'acier. Cela lui confère d'excellentes performances sismiques, supérieures à celles du substrat en cuivre. Parconséquent, dans les emballages électroniques de haute puissance, les plaques de base IGBT en aluminium et carbure de siliciumsont des matériaux irremplaçables en raison de leur combinaison unique de conductivité thermique élevée, de faible coefficient de dilatation thermique et de résistance à la flexion.
Spécifications des plaques de base IGBT en aluminium et carbure de silicium
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Alliage d'aluminium
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ZL101A
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Carbure de silicium
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Qualité électronique, fraction volumique de 65 %.
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Conductivité thermique[(W/mK) @25°C]
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≥240
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Chaleur spécifique (J/gK) à 25°C
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0.803
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Dilatation thermique (CTE) ppm/°C
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(30°C-100°) 7.42
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(30°C-150°) 7.93
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(30°C-200°) 8.35
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Module d'Young (GPa)
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158
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Module de cisaillement (GPa)
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75
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Résistance à la flexion (MPa)
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300
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Pourcentage d'allongement à la rupture（%）
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0.28
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Résistance à la rupture
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11.3
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Résistance électrique (µOhm-cm)
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20
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Herméticité (atm-cm3/sHe)
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< 10 -9
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Applications de l'embase IGBT en carbure d'aluminium et de silicium
L'embaseIGBT en carbure d'aluminium et de silicium a les applications suivantes :
-Appareils ménagers,
-Transport,
-Ingénierie de l'énergie
-Énergie renouvelable
-Réseau intelligent
-Contrôle du trafic
-Conversion d'énergie
-Moteurs industriels
Moteurs industriels -Interruptibles
-Fournitures d'énergie
-Équipement éolien et solaire
-Convertisseurs de fréquence pour commande automatique
Emballage des plaques de base IGBT en aluminium et carbure de silicium
Nous utilisons un joint sous vide pour remplir le carton afin d'éviter les chocs. Nous prenons grand soin d'éviter tout dommage qui pourrait être causé pendant le stockage ou le transport de la plaque de base IGBT en carbure de silicium aluminium.
